中国勢が最先端「半導体」開発、世界中に格安品“バラ撒き”で下剋上＆大競争時代か

176層の3次元NANDを発表したマイクロン

　米マイクロン・テクノロジー（以下、マイクロン）が2020年11月10日、世界初となる176層の3次元NANDの出荷を開始することを発表した（「EE Times Japan 」）。記事によれば、マイクロンは、モバイル端末、車載システム、データセンター向けSSDなどの用途を想定しており、2021年に市場に投入する予定であるという。

　NANDシェア1位のサムスン電子が128層の歩留り向上に苦戦しており、シェア2位と3位のキオクシアとウェスタンデジタル（WD）のグループが96層を延命し、112層の量産立ち上げが遅れている現状で、シェア5位のマイクロンが断トツ1位の176層の量産をすでに開始していることに、業界関係者は驚いたようだ（図1）。

　実は、マイクロンは、シェア3位のDRAMでも、微細化の技術ではシェア1位のサムスン電子や2位のSKハイニックスを引き離して最先端を突っ走っている。つまり、マイクロンは、DRAMもNANDも最先端技術では1位に立っているということである。

　また、サムスン電子に次ぐメモリシェア2位のSKハイニックスが10月20日、インテルのNAND事業を買収することで合意したことを発表した。もし、この買収が完了すれば、SKハイニックス（11.7％）とインテル（11.5％）のNAND合計シェアは23.2％となり、キオクシア（17.2％）とWD（15.5％）を抜いて、サムスン電子（31.4％）に次ぐ2位にランクされることになる。

　さらに、上場延期となったキオクシアは10月29日、WDと共同で四日市工場に1兆円を投資し新棟（Y7）を建設することを発表した（「キオクシアのニュース」）。

　このように、メモリ業界がにわかに騒がしくなってきた。そこで本稿では、まず、この背景事情について説明する。次に、DRAMでもNANDでもシェア下位のマイクロンが、なぜ技術でトップに立つ戦略を実行しているかを説明する。そして、半導体メモリ大競争時代の幕が開いたことを論じる。

中国企業に対する警戒感

　図2に、メモリを生産しているか、または生産しようとしている企業の一覧を示す。マイクロンがDRAMとNANDでトップを走り始め、SKハイニックスがインテルのNAND事業を買収すると発表し、キオクシアとWDが1兆円を投資する背景には、中国メモリメーカーへの警戒感がある。

　中国の紫光集団傘下の長江ストレージ（YMTC）は、2016年から3次元NANDの開発をはじめ、今年4月12日に128層の開発に成功したと発表した（http://www.ymtc.com/index.php?s=/cms/179.html）。現在のYMTCのNANDシェアは不明であるが、月産のウエハインプットが5万枚を超えた模様である。サムスン電子およびキオクシアとWDが共同経営している四日市工場が、どちらも約50万枚であることを考えると、YMTCのキャパシティはその10分の一しかないが、3次元NANDの積層数では最先端に追いついてきたといえる。今後、生産キャパシティが増大してくる可能性が高い。

　また、紫光集団傘下の西安紫光国芯半導体とChang Xin Memory Technologies（CXMT）が1Xnm世代の先端DRAMを開発している。先端DRAMの開発は容易ではないため、この2社がすぐに量産できるとは思えない。しかし、もし先端DRAMの開発と量産に成功し、中国製の格安DRAMが市場にばら撒かれると、価格暴落が起き、市場が破壊される危険性がある。

　DRAMやNANDなどの半導体メモリの価格は、需要と供給のバランスによって決まるため、供給が需要を上回れば価格が暴落する。そして、過去の歴史を振り返ってみると、価格暴落が起きた時には、シェアの低い企業から退場していったことがわかる。